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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SI3443DVTRPBF | INFINEON | Ultra Low On-Resistance |
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| SI3445ADV | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI3445ADV-T1-E3 | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI3445ADV-T1-GE3 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| SI3445DV | FAIRCHILD | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
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| SI3445DV | VISHAY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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