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SI3442BDV-T1-GE3

更新时间： 2024-02-28 16:34:54

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	185K
描述
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI3442BDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.67 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442BDV-T1-GE3 数据手册

Si3442BDV

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

480

400

320

240

160

0.14

0.12

= 2.5 V

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

iss

= 4.5 V

oss

rss

- Drain-to-Source Voltage (V)

- Drain Current (A)

On-Resistance vs. Drain Current

Capacitance

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

= 4.5 V

= 10 V

= 4 A

- 50 - 25

100 125 150

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

T - Junction Temperature (°C)

- Total Gate Charge (nC)

Gate Charge

On-Resistance vs. Junction Temperature

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0.00

= 150 °C

0.1

= 4 A

= 25 °C

0.01

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

- Gate-to-Source Voltage (V)

- Source-to-Drain Voltage (V)

Source-Drain Diode Forward Voltage

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

Document Number: 72504

S09-2110-Rev. E, 12-Oct-09

www.vishay.com

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