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SHD325859B1 PDF预览

SHD325859B1

更新时间： 2024-11-25 20:50:51
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 1100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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SHD325859B1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-254, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.83其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.4 VJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：720 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：165 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：80 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：1100 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：7 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SHD325859B1 数据手册

 浏览型号SHD325859B1的Datasheet PDF文件第2页 
SHD325859  
SHD325859B1  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5428, REV. A  
HERMETIC FAST RECOVERY RECTIFIER  
HIGH VOLTAGE  
Features:  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
Very High Surge Capacity  
Very suitable for low frequency applications (upto 1 kHz)  
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Electrically / Mechanically Stable during and after Packaging  
Add B1 suffix for lead bend (see mech drawing)  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Thermal Impedance  
Max. Junction Temperature  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
50% duty cycle, rectangular  
wave form, TC = 65 C  
8.3 msec, sine pulse  
Max.  
1100  
80  
Units  
V
A
IFSM  
720  
0.5  
- 40 to + 165  
- 55 to + 175  
A
ZTH  
TJ  
Tstg  
TC = 25 C  
C / W  
C  
C  
-
-
Max. Storage Temperature  
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Max. Forward Voltage Drop  
Symbol  
VF1  
Condition  
@ 80A, Pulse, TJ = 25 C  
@ 80A, Pulse, TJ = 125 C  
@VR = 1000V, Pulse,  
TJ = 25 C  
Typ.  
1.25  
-
Max.  
1.4  
1.25  
5.0  
Units  
V
V
VF2  
IR1  
1.5  
A  
Max. Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
IR2  
@VR = 1000V, Pulse,  
TJ = 125 C  
IF = 40A; di/dt = 25A / sec;  
VR = 100V  
TJ = 25 C  
IF = 40A; di/dt = 25A / sec;  
VR = 100V  
TJ = 25 C  
@VR = 0V, TC = 25 C  
fSIG = 1MHz,  
-
15  
-
mA  
TRR  
7
sec  
A
Reverse Recovery Current  
Max. Junction Capacitance  
IRM  
40  
-
-
CT  
650  
pF  
ISIG = 100mV (p-p)  
©2014 Sensitron Semiconductor 221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681  
PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 www.sensitron.com sales@sensitron.com  
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