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SHD125636

更新时间： 2024-11-18 04:51:55

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描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER Low Reverse Leakage

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SHD125636 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	TO-254, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.3
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	35 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.057 µs
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SHD125636 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD125636

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4147, REV. -

POWER SCHOTTKY RECTIFIER

Low Reverse Leakage

Applications:

· Switching Power Supply · Converters · Free-Wheeling Diodes · Polarity Protection Diode

Features:

Ultra Low Reverse Leakage Current

Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature

Very Low Forward Voltage Drop

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Capacity

Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability

Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics

Maximum Ratings:

Characteristics

Peak Inverse Voltage

Max. Average Forward

Current

Symbol

V_RWM

I_F(AV)

Condition

Max.

200

Units

50% duty cycle, rectangular

wave form

Max. Peak One Cycle Non-

Repetitive Surge Current

Non-Repetitive Avalanche

Energy

I_FSM

E_AS

I_AR

8.3 ms, half Sine wave

(per leg)

T_J= 25 °C, I_AS= 1.3 A,

150

L = 40mH (per leg)

Repetitive Avalanche

Current

1.3

I_ASdecay linearly to 0 in 1 ms

¦ limited by T max V_A=1.5V_R

Thermal Resistance

R_thJC

T_J

T_stg

Per Package

0.33

°C/W

°C

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

-65 to +175

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

Max.

Units

Max. Forward Voltage Drop

V_F1

1.05

@ 35A, Pulse, T_J= 25 °C

V_F2

I_R1

0.87

0.1

@ 35A, Pulse, T_J= 125 °C

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 25 °C

Max. Reverse Current

I_R2

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 125 °C

6.0

Reverse Recovery Time

Max. Junction Capacitance

t_RR

C_T

I_F=0.5A; I_RM=1A; I_RR=0.25A;

1800

@V_R= 5 V, T_C= 25 °C

f_SIG= 1 MHz,

V_SIG= 50mV (p-p) (per leg)

Due to the nature of the 200V Schottky devices, some degradation in t_rrperformance at high temperatures should

be expected, unlike conventional lower voltage Schottkys.

· 221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 ·

· World Wide Web Site - http://www.sensitron.com · E-Mail Address - sales@sensitron.com ·

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