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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SHD120246SVQ
SHD120246SVQ PDF预览

SHD120246SVQ

更新时间： 2024-11-25 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 112K
描述
Rectifier Diode,

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SHD120246SVQ 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.01 VJESD-30 代码：R-XBCC-N3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：350 µA反向测试电压：200 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

SHD120246SVQ 数据手册

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SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD120246  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4660, REV. —  
HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIER  
Low Forward Voltage Drop  
Features:  
•
•
•
•
•
•
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
Maximum Ratings  
Characteristics  
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward Current  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
50% duty cycle, rectangular  
wave form (Single)  
8.3 ms, half Sine wave  
(per leg)  
TJ = 25 °C, IAS = 3.0 A,  
L = 4.4 mH (per leg)  
IAS decay linearly to 0 in 1 µs  
ƒ limited by TJ max VA=1.5VR  
(Single)  
Max.  
200  
15  
Units  
V
A
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Non-Repetitive Avalanche Energy  
IFSM  
EAS  
IAR  
150  
20  
A
mJ  
A
Repetitive Avalanche Current  
Maximum Thermal Resistance  
3.0  
1.21  
RθJC  
°C/W  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
TJ  
Tstg  
-
-
-65 to +200  
-65 to +200  
°C  
°C  
Electrical Characteristics  
Characteristics  
Max. Forward Voltage Drop  
(per leg)  
Symbol  
VF1  
Condition  
@ 15A, Pulse, TJ = 25 °C  
@ 15A, Pulse, TJ = 125 °C  
@VR = 200V, Pulse,  
TJ = 25 °C  
Max.  
1.01  
0.85  
0.35  
Units  
V
V
VF2  
IR1  
Max. Reverse Current  
mA  
(per leg)  
IR2  
CT  
@VR = 200V, Pulse,  
TJ = 125 °C  
8.0  
mA  
pF  
Max. Junction Capacitance  
(per leg)  
300  
@VR = 5V, TC = 25 °C  
fSIG = 1MHz,  
VSIG = 50mV (p-p)  
• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-Mail - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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