Datasheet > SGT70N65FDM1P7

SGT70N65FDM1P7

更新时间： 2024-11-19 15:19:43

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
8页	303K
描述
TO-247-3L

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGT70N65FDM1P7 数据手册

士兰微电子

SGT70N65FDM1P7 说明书

70A、650V绝缘栅双极型晶体管

描述

SGT70N65FDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop）

工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于 UPS,SMPS

以及 PFC 等领域。

特点



70A，650V，V_CE(sat)(_典型值=2.3V@I_C=70A

)

低导通损耗

快开关速度

高输入阻抗

TO-247-3L

命名规则

SGT 70 N 65 □□□ P□

封装形式,如P7表示TO-247封装形式

1,2,3… : 版本号

IGBT系列

电流规格,70表示70A

D : 封装快恢复二极管的器件

R : 集成续流二极管的器件

N : N Channel

NE : N沟平面栅带ESD

T : N沟槽栅

L : 低饱和压降器件

S : 标准器件

Q : 快速器件

F : 高速器件

UF : 超高速器件

电压规格 : 65表示650V

产品规格分类

产品名称

封装形式

TO-247-3L

打印名称

环保等级

包装方式

SGT70N65FDM1P7

70N65FDM1

无铅

料管

极限参数(除非特殊说明，TC=25C)

参数

集电极-射极电压

符号

V_CE

V_GE

参数范围

650

单位

栅极-射极电压

±20

140

T_C=25C

集电极电流

I_C

T_C=100C

集电极脉冲电流

I_CM

P_D

T_J

210

耗散功率（T_C=25C）

工作结温范围

321

C

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 8 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SGT70N65FDM1P7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGT75T65SDM1P4	SILAN	获取价格	TO-247-4L
SGT75T65SDM1P7	SILAN	获取价格	TO-247-3L
SGT765370	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays
SGT767370	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays
SGT865350	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays
SGT867350	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays
SGT8810	SECOS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
SGT944360	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays
SGT961360	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays
SGT962360	CELDUC	获取价格	Three Phase Solid State Relays