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SGT30T60SD3PU

更新时间： 2024-04-09 19:00:45

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247N-3L

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SGT30T60SD3PU 数据手册

士兰微电子

SGT30T60SD3PU 说明书

典型特性曲线（续）

图7. 饱和压降 vs. 温度

图8. 电容特性

2500

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

共射极

V_GE=0V

f=1MHz

T_C=25°C

共射极

V_GE=15V

2000

I_C=60A

Cies

1500

1000

500

I_C=30A

I_C=15A

Coes

Cres

100

壳温 – T_C(°C)

125

集电极-发射极电压 – V_CE(V)

图9. 栅极电荷特性

图10. 导通特性 vs. 栅极电阻

1000

100

共射极

T_C=25°C

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V,

I_C=30A，T_C=25°C

td(on)

V_CC=100V

V_CC=200V

V_CC=300V

栅极电阻 - R_G(Ω)

栅极电荷量 – Q_G(nC)

图11. 关断特性 vs. 栅极电阻

图12. 开关损耗 vs. 栅极电阻

10000

1000

100

1000

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V,

I_C=30A，T_C=25°C

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V

I_C=30A,T_C=25°C

Eon

Eoff

td(off)

100

栅极电阻 - R_G(Ω)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 8 页第 5 页

http: //www.silan.com.cn

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