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SGT30T60SD3PU

更新时间： 2024-04-09 19:00:45

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247N-3L

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SGT30T60SD3PU 数据手册

士兰微电子

SGT30T60SD3PU 说明书

极限参数（除非特殊说明，TC=25C）

参数

集电极-射极电压

符号

V_CE

V_GE

参数范围

600

单位

栅极-射极电压

±20

T_C=25C

集电极电流

I_C

T_C=100C

集电极脉冲电流

I_CM

I_F

120

二极管电流@100C

耗散功率（T_C=25C）

工作结温范围

P_D

T_J

230

C

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

热阻特性

参数

符号

R_θJC

参数范围

0.54

单位

C/W

芯片对管壳热阻（IGBT）

芯片对管壳热阻（FRD）

1.5

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 8 页第 2 页

http: //www.silan.com.cn

123 4 5 6 7 8

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