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SGT27B13

更新时间： 2024-02-01 07:33:52
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
4页 25K
描述
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,345V V(BO) MAX,TO-202VAR

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SGT27B13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.69
其他特性：DIFFUSED ZENER IN GATE REGION最大转折电压：375 V
外壳连接：TERMINAL 2配置：SINGLE
最大维持电流：130 mA标称维持电流：130 mA
JESD-30 代码：R-PSIP-T2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SYMMETRICAL BODBase Number Matches：1

SGT27B13 数据手册

 浏览型号SGT27B13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SGT27B13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SGT27B13的Datasheet PDF文件第4页 
SGT23B13, SGT27B13, SGT27B27  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C  
C
SGT23B13  
SGT27B13  
SGT27B27  
UNITS  
Continuous Off State Voltage:  
V
V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
200  
200  
235  
235  
235  
235  
V
V
DM  
RM  
Transient Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
TSM  
1µs x 2µs (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
8µs x 20µs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
10µs x 560µs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
10µs x 1000µs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
One Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50Hz to 60Hz (Note 2)  
One Second . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50Hz to 60Hz, Halfwave  
300  
200  
125  
100  
60  
300  
200  
125  
100  
60  
600  
400  
250  
200  
60  
A
A
A
A
A
A
30  
30  
30  
o
Operating Temperature (T ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
-40 to 85  
-40 to 85  
-40 to 85  
C
A
o
Storage Temperature Range (T  
NOTES:  
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
STG  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
C
1. Unit designed not to fail open below: 900A.  
2. One every 30s maximum.  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
o
Electrical Specifications At Case Temperature, T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
PARAMETER  
Off-State Current  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
DM RM  
Maximum Rated V , V  
DM RM  
o
T
T
= 25 C  
-
-
-
-
200  
100  
nA  
µA  
A
A
o
= 85 C  
Clamping Voltage  
SGT27B27  
SGT23B13  
V
I < 200µA  
Z
Z
270  
230  
270  
-
-
-
325  
270  
325  
V
V
V
SGT27B13  
Breakover Voltage  
SGT27B27  
SGT23B13  
V
dv/dt = 100V/µs  
BO  
-
-
-
-
-
-
345  
240  
345  
V
V
V
SGT27B13  
Holding Current  
SGT27B27  
SGT23B13  
I
H
270  
130  
130  
-
-
-
-
-
-
mA  
mA  
mA  
SGT27B13  
On-State Voltage  
V
I
= 10A  
-
-
2
V
T
T
Main Terminal Capacitance  
SGT27B27  
SGT23B13  
C
V
= V = 50V,  
RM  
O
DM  
Frequency = 1MHz  
-
-
-
80  
50  
50  
-
-
-
pF  
pF  
pF  
SGT27B13  
7-12  
1234

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