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SGT10T60SDM1D

更新时间： 2024-04-09 19:02:42

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士兰微 - SILAN		/
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TO-252-2L

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SGT10T60SDM1D 数据手册

士兰微电子

SGT10T60SDM1D 说明书

典型特性曲线(续)

图13. 关断特性vs. 集电极电流

图14. 开关损耗 vs. 集电极电流

1000

100

10000

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V

Rg=10Ω,T_C=25°C

共射极

V_CC=400V, V_GE=15V

Rg=10Ω，T_C=25°C

Eon

1000

Eoff

100

Td(off)

集电极电流 - I_C(A)

图15. 正向特性

图16. 反向恢复时间vs.正向电流

100

T_C=125°C

T_C=25°C

di/dt=200A/µs

di/dt=100A/µs

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

正向电压 - V_FM(V)

正向电流 -I_F(A)

图17. 反向恢复电荷vs.正向电流

图18. 最大安全工作区域

10²

100µs

10µs

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

1ms

10ms

di/dt=200A/µs

di/dt=100A/µs

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

正向电流 -I_F(A)

集电极-发射极电压 - V_CE(V)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 9 页第 6 页

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