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SGT20T135QR1P7

更新时间: 2024-04-09 19:01:52
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
9页 329K
描述
TO-247-3L

SGT20T135QR1P7 数据手册

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士兰微电子  
SGT20T135QR1P7(PN)(PT)说明书  
20A1350V逆导型绝缘栅双极型晶体管  
C
描述  
2
SGT20T135QR1P7/PN/PT 逆导型绝缘栅双极型晶体管采用新一  
代逆导型(Reverse Conducting)槽栅场截止工艺制作,具有低导通损  
耗和开关损耗击穿电压部集成续流二极管温度系数等特点。  
该产品可应用于感应加热领域。  
1
G
3
1
E
2
特点  
20A1350VVCE(sat)(典型值 =1.8V@IC=20A  
)
1
3
2
3
TO-3P  
低导通损耗  
TO-247-3L  
内部集成续流二极管  
高击穿电压  
1
2
3
TO-3PN  
命名规则  
SGT 20 T 135 Q R X 1 P7  
士兰IGBT系列  
封装形式,如  
P7TO-247-3L  
FTO-220F-3L等  
电流规格,如:  
70表示70A等  
1,2,3… :版本号  
NN沟平面栅  
空:标准二极管(Standard)  
M:标准二极管、全电流规格(Standard Full)  
R:快速二极管(Rapid)  
B:快速二极管、全电流规格(Rapid Full)  
S:超软二极管、全电流规格(Soft Full)  
NEN沟平面栅带ESD  
TField Stop 34  
UField Stop 4+  
VField Stop 5  
WField Stop 6  
XField Stop 7  
D:合封二极管  
电压规格,如:  
65表示650V  
120表示1200V等  
R:集成二极管(RC IGBT)  
L:超低速,推荐频率~2KHz  
Q:低速,推荐频率2~20K  
S:标准,推荐频率5~40K  
F:高速,推荐频率10~60K  
UF:超高速,推荐频率40K~  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-247-3L  
TO-3P  
打印名称  
20T135QR1  
20T135QR  
20T135QR  
环保等级  
无铅  
包装方式  
料管  
SGT20T135QR1P7  
SGT20T135QR1PN  
SGT20T135QR1PT  
无铅  
料管  
TO-3PN  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.7  
9 页 第 1 页  

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