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SGT10T60SDM1D

更新时间： 2024-04-09 19:02:42

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士兰微 - SILAN		/
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9页	316K
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TO-252-2L

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SGT10T60SDM1D 数据手册

士兰微电子

SGT10T60SDM1D 说明书

IGBT 电性参数(除非特殊说明，TC=25C)

参数

集射击穿电压

集射漏电流

符号

BV_CE

I_CES

测试条件

V_GE=0V，I_C=250µA

最小值

600

典型值

最大值

单位

V_CE=600V，V_GE=0V

V_GE=20V，V_CE=0V

I_C=250µA，V_CE=V_GE

I_C=10A，V_GE=15V

I_C=10A，V_GE=15V，T_C=125C

V_CE=30V

200

±400

6.5

2.2

µA

栅射漏电流

I_GES

栅极开启电压

V_GE(th)

3.5

5.5

1.65

1.9

540

饱和压降

V_CE(sat)

输入电容

C_ies

C_oes

C_res

T_d(on)

T_r

输出电容

V_GE=0V

f=1MHz

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通损耗

V_CE=400V

I_C=10A

T_d(off)

T_f

R_g=10Ω

V_GE=15V

感性负载

128

0.49

0.16

0.65

E_on

E_off

E_st

关断损耗

开关损耗

栅电荷

Q_g

发射极栅电荷

集电极栅电荷

Q_ge

Q_gc

V_CE= 400V，I_C=10A，V_GE=15V

8.5

8.8

FRD 电性参数(除非特殊说明，TC=25C)

参数

符号

测试条件

I_F=10A，T_C=25C

最小值

典型值

1.8

最大值

单位

2.2

二极管正向压降

V_FM

I_F=10A，T_C=125C

1.4

二极管反向恢复时间

二极管反向恢复电荷

T_rr

I_ES=10A，dI_ES/dt=200A/μs

Q_rr

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 9 页第 3 页

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