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SGD02N60

更新时间： 2024-02-15 13:07:22

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
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12页	388K
描述
FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY

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SGD02N60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	5.71	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	354 ns
标称接通时间 (ton)：	34 ns	Base Number Matches：	1

SGD02N60 数据手册

SGP02N60,

SGB02N60

SGD02N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-252-3-1 (D-PAK) P-TO-220-3-1

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

(TO-252AA)

(TO-220AB)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP02N60

SGB02N60

SGD02N60

600V

2.2V

TO-220AB

Q67040-S4504

Q67040-S4505

Q67041-A4707

150°C

TO-263AB

TO-252AA(DPAK)

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

6.0

2.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 2 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...12

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SGD02N60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4RC10KTRL	INFINEON	功能相似	Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
SGD04N60	INFINEON	功能相似	Fast IGBT in NPT-technology
HGTD3N60C3S9A	FAIRCHILD	功能相似	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

与SGD02N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGD02N60XT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, GREEN, PLA
SGD04N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGD06N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGD06N60BUMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, GREEN, PL
SG-D1	PANASONIC	获取价格	New SG-E1, SG-C1, SG-B2/D1, SG-B1/A1 Series Safety Switches
SGD100	ONSEMI	获取价格	MIXER DIODE,TO-236
SGD-100	SANYO	获取价格	C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100T	SANYO	获取价格	C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD102	SANYO	获取价格	C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD15100	CELDUC	获取价格	DC SOLID STATE RELAY

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