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SGD102

更新时间： 2024-09-30 22:21:59

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三洋 - SANYO		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
C to X Band, Mixer, Modulator Applications

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SGD102 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.4 pF
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	C BAND TO X BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最大工作频率：	12 GHz	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SGD102 数据手册

Ordering number :EN5581

SGD102

GaAs Schottky Barrier Diode

C to X Band, Mixer, Modulator Applications

Features

Package Dimensions

unit:mm

· Ultrasmall-sized package.

· Less parasitic components, conversion loss.

1276

[SGD102]

1:No Contact

2:Anode

3:Cathode

SANYO:CP3R

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Peak Reverse Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

4.5

Reverse Voltage

4.0

150

Peak Forward Current

Average Rectified Current

Junction Temperature

Storage Temperature

˚C

150

Tstg

–55 to +150

˚C

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

0.8

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

0.9

Forward Voltage

Reverse Voltage

I =20mA

4.0

6.0

0.3

1.5

=10µA

Interterminal Capacitance

Series Resistance

V=0V, f=1MHz

I =20mA

0.4

3.0

Ω

Measured using the DC incremental methode*

f=10.678GHz, P=10mW

Conversion Loss

4.0

Note)*: Conversion loss measurement diagram

For measurement of conversion loss, do a sampling from the lot population and use the DC incremental

method for measurement.

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

22898HA (KT)/D1096GI/ (KOTO) X-8179 No.5581-1/2

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