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SG16AA60

更新时间： 2024-11-29 22:05:15
品牌 Logo 应用领域
SANREX /
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
THYRISTOR MODULE (ISOLATED MOLD TYPE)

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SG16AA60 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
最大直流栅极触发电流：40 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：A-G-K螺丝端子的描述：0
最大维持电流：30 mA最大漏电流：3 mA
通态非重复峰值电流：220 A最大通态电压：1.5 V
最大通态电流：16000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C子类别：Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SG16AA60 数据手册

 浏览型号SG16AA60的Datasheet PDF文件第2页 
（ISOLATED MOLD TYPE）  
THYRISTOR MODULE  
SG16AA  
UL:E76102（M）  
SG16AA is an isolated molded thyristor which is suitable fora wide range of industrial  
and home electronics uses. SG16AA uses highly relible glass passivation.  
39.2 MAX  
2-φ4.2±0.1  
●
T(AV)  
I
=16A  
（A）�  
● high Surge Capability  
● Tab terminals for easy wiring.  
（G）�  
（K）  
�
A：TAB250�  
K：TAB250�  
G：TAB187  
20.1 MAX  
21.6 MAX  
30.0±0.1  
13.9  
＃250  
φ1.65（T1.T1）  
＃180  
φ1.3（G）  
�
�
A
G
K
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
Ratings  
SG16AA40  
400  
Symbol  
Item  
Unit  
SG16AA20  
200  
SG16AA60  
600  
RRM  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
V
V
V
RSM  
V
240  
480  
720  
DRM  
V
200  
400  
600  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
16  
Unit  
A
T（AV）  
I
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：80℃  
T（RMS）  
I
25  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：80℃  
1
TSM  
I
A
／cycle, 50Hz/60Hz, peak value, non-repetitive  
220 250  
/
2
2
2
2
I t  
I t  
260  
10  
A S  
2～10ms  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
W
W
A
G（AV）  
P
1
FGM  
I
3
FGM  
V
Peak Gate Voltage(Forward)  
Peak Gate Voltage(Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
10  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
100  
2500  
di／dt  
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI dt＝1A μs  
A μs  
/
/
/
ISO  
V
A.C.1minute  
V
℃
℃
Tj  
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
Tstg  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
Mounting Torque（M4）  
Recommended Value 1.0-1.4（10-14）  
1.5（15）  
Mass  
23  
g
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
3
3
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
RRM  
I
DRM  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
V
1.50  
On-State Current 50A, Tj＝25℃ Inst. measurement  
GT  
GT  
T
D
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
40 3  
mA V  
/
/
1
GD  
V
D
DRM  
0.2  
10  
V
Tj＝125℃，V ＝／V  
2
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝16A，I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
V
，dI dt＝1A μs  
μs  
/
/
2
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
100  
30  
dv／dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V μs  
/
3
H
I
mA  
Tj＝25℃  
Thermal Impedance, max.  
Junction to case  
2.0  
Rth（j-c）  
℃ W  
/
SanRex  
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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