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SFT5553AJSBRTXV

更新时间： 2024-10-02 13:13:27

品牌	Logo	应用领域
SSDI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	125K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-257, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-257, 3 PIN

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SFT5553AJSBRTXV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-257
JESD-30 代码：	R-PSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

SFT5553AJSBRTXV 数据手册

SFT5553A/G

Series

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

5 AMP

100 Volts

PNP Power Transistor

SFT5553A __ __ __

Screening ^2/__ = Not Screen

TX = TX Level

│

└

│

└

Features:

• BV_CEO80V

• Fast Switching

• Very High Gain

• Low Saturation Voltage

• 200 ºC Operating Temperature

• Gold Eutectic Die Attach

• TX, TXV, S-Level Screening Available

TXV = TXV Level

S = S Level

Polarity __ = Normal

R = Reverse

Package /G = Cerpack

Maximum Ratings

Symbol

BV_CBO

Value

100

Units

Volts

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

BV_CEO

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

BV_EBO

I_C

6.0

5.0

2.0

Volts

Amps

I_B

Power Dissipation @ T_C≤ 100ºC

Derate above 100ºC

0.4

W/ ºC

P_D

Operating & Storage Temperature

Thermal Resistance, Junction to Case

Top & Tstg

R_θJC

-65 to +200

1.8

ºC

ºC/W

Cerpack Outline:

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0015E

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