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SFR9220TM

更新时间： 2024-10-01 19:46:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	254K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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SFR9220TM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
雪崩能效等级（Eas）：	256 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFR9220TM 数据手册

SFR/U9220

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= -200 V

R_DS(on)= 1.5 W

I_D= -3.1 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 mA (Max.) @ V_DS= -200V

Lower R_DS(ON): 1.111 W (Typ.)

D-PAK

I-PAK

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25^oC)

Continuous Drain Current (T_C=100^oC)

Drain Current-Pulsed

Value

-200

-3.1

-1.96

-12

Units

V_DSS

I_D

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

256

-3.1

3.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt

-5.0

2.5

Total Power Dissipation (T_A=25 C)

Total Power Dissipation (T_C=25^oC)

Linear Derating Factor

P_D

W/^oC

0.24

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8“ from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

R_qJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

Junction-to-Case

4.17

^oC/W

R_qJA

Junction-to-Ambient

R_qJA

110

When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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SFR9220TM 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SFR9220TF	FAIRCHILD	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与SFR9220TM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFR9224	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
SFR9224TF	FAIRCHILD	获取价格	Avalanche Rugged Technology
SFR9224TF	ROCHESTER	获取价格	2.5A, 250V, 2.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
SFR9224TM	ROCHESTER	获取价格	2.5A, 250V, 2.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
SFR9230	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SFR9230	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SFR9230B	FAIRCHILD	获取价格	200V P-Channel MOSFET
SFR9230BTM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SFR9230BTM_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SFR9230TF	FAIRCHILD	获取价格	Transistor

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