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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 156 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQD4P25TF | FAIRCHILD |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQD4P25TM | FAIRCHILD |
类似代替 |
250V P-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFR9224TM | ROCHESTER |
获取价格 |
2.5A, 250V, 2.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| SFR9230 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFR9230 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFR9230B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| SFR9230BTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFR9230BTM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFR9230TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFR9230TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor, |
|
| SFR9234 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFR9234 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
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