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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SFP9Z34
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SFP9Z34

更新时间： 2024-11-17 22:21:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 236K
描述
Advanced Power MOSFET

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SFP9Z34 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.33Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：555 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：82 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SFP9Z34 数据手册

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SFP9Z34  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = -60 V  
n Avalanche Rugged Technology  
n Rugged Gate Oxide Technology  
n Lower Input Capacitance  
RDS(on) = 0.14 Ω  
ID = -18 A  
n Improved Gate Charge  
n 175oC Opereting Temperature  
n Extended Safe Operating Area  
n Lower Leakage Current : -10 µA (Max.) @ VDS = -60V  
n Low RDS(ON) : 0.106 Ω (Typ.)  
TO-220  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
-60  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100oC)  
Drain Current-Pulsed  
-18  
ID  
A
-12.6  
-72  
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
O
A
V
Gate-to-Source Voltage  
±30  
555  
-18  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
O
1
O
1
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25oC)  
Linear Derating Factor  
O
8.2  
mJ  
V/ns  
W
3
-5.5  
82  
O
PD  
TJ , TSTG  
TL  
0.55  
W/oC  
Operating Junction and  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
oC  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
Typ.  
Max.  
1.83  
--  
Units  
--  
0.5  
--  
oC/W  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
62.5  
Rev. C  
1234567

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