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SFF450MUB

更新时间： 2024-02-13 20:37:42

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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SFF450MUB 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF450MUB 数据手册

SFF450M

SFF450Z

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

13 AMP / 500 Volts

0.4 Ω

SFF450

__ __ __

Screening ^2/__ = Not Screen

TX = TX Level

N-Channel POWER MOSFET

│

└

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

Lead Option ^3/__ = Straight Leads

DB = Down Bend

• Rugged Construction with Polysilicon Gate Cell

• Low R_DS(ON)and High Transconductance

• Excellent High Temperature Stability

• Very Fast Switching Speed

• Fast Recovery and Superior dV/dt Performance

• Increased Reverse Energy Capability

UB = Up Bend

Package ^3/M = TO-254

Z = TO-254Z

• Low Input and Transfer Capacitance for Easy Paralleling

• Ceramic Seals Available for Improved Hermeticity

• Hermetically Sealed Surface Mount Power Package

• TX, TXV, Space Level Screening Available

• Replacement for IRFM450 Types

Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Value

500

Units

Volts

Amps

ºC

Drain – Source Voltage

Gate – Source Voltage

V_GS

±20

Continuous Collector Current

Operating & Storage Temperature

I_D

Top & Tstg

-55 to +150

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

ºC/W

R_θJC

P_D

T_C= 25ºC

T_C= 55ºC

125

Total Device Dissipation

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

For Pin Out Configuration and Optional Lead Bend, Se Page 3.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00097E

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF450MUBS	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450MUBTX	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450MUBTXV	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450N	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450NGZ	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450P	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450PGZ	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450R	SSDI	获取价格	Transistor
SFF450Z	SSDI	获取价格	13 AMP / 500 Volts 0.4 OHM N-Channel POWER MOSFET
SFF450ZDB	SSDI	获取价格	暂无描述