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SFF450NGZ

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
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SSDI 局域网晶体管
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1页 95K
描述
Transistor

SFF450NGZ 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):13 A
最大漏极电流 (ID):13 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-258AA
JESD-30 代码:R-XSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON

SFF450NGZ 数据手册

  

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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta