生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P6 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A |
最大漏极电流 (ID): | 13 A | 最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XSFM-P6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SFF450Z | SSDI |
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13 AMP / 500 Volts 0.4 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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SFF450ZDB | SSDI |
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暂无描述 |
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SFF450ZDBS | SSDI |
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Transistor |
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SFF450ZDBTX | SSDI |
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SFF450ZDBTX, T254-3 |
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SFF450ZDBTXV | SSDI |
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Transistor |
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SFF450ZGZ | SSDI |
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Transistor |
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SFF450ZU | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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SFF450ZUB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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SFF450ZUBS | SSDI |
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Transistor |
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SFF450ZUBTX | SSDI |
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Transistor |
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