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SF1601G

更新时间： 2024-02-28 21:55:05
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THINKISEMI 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 304K
描述
16.0 Ampere Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier Diodes

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SF1601G 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SF1601G 数据手册

 浏览型号SF1601G的Datasheet PDF文件第2页 
SF1601G thru SF1608G  
®
SF1601G thru SF1608G  
Pb Free Plating Product  
16.0 Ampere Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier Diodes  
Unit : inch (mm)  
TO-220AB  
Features  
.419(10.66)  
.387(9.85)  
.196(5.00)  
.163(4.16)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Fast switching for high efficiency  
Low forward voltage drop  
High current capability  
.139(3.55)  
MIN  
.054(1.39)  
.045(1.15)  
Low reverse leakage current  
High surge current capability  
Application  
Automotive Environment|DC Motor Control  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Plating Power Supply|UPS  
Amplifier and Sound Device System  
.038(0.96)  
.025(0.65)MAX  
.019(0.50)  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Molded plastic TO-220AB Heatsink  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
method 208  
.1(2.54)  
.1(2.54)  
Case  
Case  
Case  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity:Color band denotes cathode  
Mounting position: Any  
Weight: 2.03 grams  
Doubler  
Series Connection  
Suffix "D"  
Negative  
Common Anode  
Suffix "A"  
Positive  
Common Cathode  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SF1601G SF1602G SF1604G SF1605G SF1606G SF1608G  
SF1601GA SF1602GA SF1604GA SF1605GA SF1606GA SF1608GA  
SF1601GD SF1602GD SF1604GD SF1605GD SF1606GD SF1608GD  
Common Cathode  
UNIT  
SYMBOL  
Common Anode Suffix "A"  
Anode and Cathode Coexistence Suffix "D"  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
V
DC  
100  
16.0  
A
A
V
IF(AV)  
Current TC  
=100oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
I
FSM  
175  
150  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 8.0 A  
V
F
0.98  
1.3  
1.7  
Maximum DC Reverse Current @T  
At Rated DC Blocking Voltage @T  
J
=25oC  
=125oC  
uA  
uA  
nS  
10.0  
250  
I
R
J
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Trr  
35  
90  
pF  
oCW  
C
J
R
JC  
2.2  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
oC  
-55 to + 150  
T , TSTG  
J
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF= 0.5A, IR= 1.0A, Irr = 0.25A.  
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
(3) Thermal Resistance junction to case.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com/  
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.  
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