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SF10B13

更新时间: 2024-01-02 08:12:34
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东芝 - TOSHIBA 栅极
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1页 57K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16 A, 100 V, SCR

SF10B13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.62
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:80 mA最大直流栅极触发电压:3.5 V
最大维持电流:100 mAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:16 A重复峰值关态漏电流最大值:15 µA
断态重复峰值电压:100 V重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SF10B13 数据手册

  

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