Datasheet > SED100LB200S

SED100LB200S

更新时间： 2024-09-13 21:16:35

品牌	Logo	应用领域
SSDI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	847K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SED100LB200S 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.93 V	JESD-30 代码：	S-XXSO-N2
最大非重复峰值正向电流：	1000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	100 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	50 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UNSPECIFIED
Base Number Matches：	1

SED100LB200S 数据手册

SCHOTTKY-ingly

1 0 0 A M P S

200 VOLTS

SSDI aDDS 100 amp Surface mount DevIce to ItS 200 volt

HermetIc SIlIcon ScHottky rectIfIerS proDuct famIly

SED100LB / LE / LT150 and SED100LB / LE / LT200

100 Amps, 150 - 200 Volts

Schottky Rectiﬁer

▪▪ Low forward voltage drop: 0.93V max @ 100A, 25°C

▪▪ Hermetically sealed power surface mount package

▪▪ Low reverse leakage current

▪▪ Guard ring for overvoltage protection

▪▪ Low profile: 0.095" max (LB / LE); 0.115" max (LT)

▪▪ Weight: 1.1 gm (typ)

Sedpack 3

(LE / LT)

Sedpack 3 (LB)

▪▪ TX, TXV, and S level screening available - consult factory

MAxꢀMuM RATꢀꢁgS (unless otherwise speciﬁed, all electrical characteristics @ 25°C)

SYMBOL

VALuE

uꢁꢀT

Volts

V_RRM

V_RWM

V_R

SED100LE150

SED100LE200

Peak Repetitive Reverse Voltaꢂe

DC Blockinꢂ Voltaꢂe

150

200

Averaꢂe Rectiﬁed Forward Cꢃrrent

Resistive load, 60 Hz, sine wave, T_C=100°C

ꢀ_O

100

Amps

Peak Sꢃrꢂe Cꢃrrent

ꢀ_FSM

1000

-55 to +150

0.3

Amps

°C

8.3 msec pulse, half sine wave superimposed on I_O, allow junction to reach equilibrium between pulses, T_C=25°C

Operatinꢂ & Storaꢂe Temperatꢃre

_OP&T_STg

Thermal Resistance

Junction to case

R_θJC

°C/W

ELECTRꢀCAL CꢄARACTERꢀSTꢀCS

SYMBOL

TYPꢀCAL

MAx

uꢁꢀT

Volts

I_F= 25A

I_F= 50A

I_F= 75A

I_F= 100A

V_F1

V_F2

V_F3

V_F4

0.70

0.77

0.81

0.85

ꢀnstantaneoꢃs Forward Voltaꢂe Drop

T_A=25°C, 300 µsec pulse

0.85

0.93

T_A=25°C

T_A=100°C

T_A=125°C

T_A=150°C

ꢀ_R1

ꢀ_R2

ꢀ_R3

ꢀ_R4

µA

Reverse Leakaꢂe Cꢃrrent

Rated V_R, 300 µsec pulse minimum

1.5

6.5

Jꢃnction Capacitance

T_A=25°C, f=1 MHz

V_R=5 V

V_R=10 V

C_J1

C_J2

2250

1550

2000

Contact SSDI for more information and to request samples

Solid State Devices, Inc. | JANS Certiﬁed Manufacturer | ISO 9001: 2008 & AS9100:2009 Rev. C | (562) 404-4474 | www.ssdi-power.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与SED100LB200S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SED10HB100	SSDI	获取价格	Schottky Rectifier
SED10HB100S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
SED10HB200	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
SED10HB200S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
SED10HB200TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
SED10HB45	SSDI	获取价格	10 AMP 45 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER
SED10HB45_1	SSDI	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
SED10HB45S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
SED10HB45TX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
SED10HB45TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,

与SED100LB200S相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

79
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

70
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

114

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SED100LB200S

SED100LB200S 技术参数

SED100LB200S 数据手册

与SED100LB200S相关器件

与SED100LB200S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SED100LB200S

SED100LB200S 技术参数

SED100LB200S 数据手册

与SED100LB200S相关器件

与SED100LB200S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？