5秒后页面跳转
SE9302TIN/LEAD PDF预览

SE9302TIN/LEAD

更新时间: 2024-12-01 13:13:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
Power Bipolar Transistor,

SE9302TIN/LEAD 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.74
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):70 W
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

SE9302TIN/LEAD 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

与SE9302TIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SE9303 CENTRAL

获取价格

Power Transistors
SE9303 FAIRCHILD

获取价格

Transistor,
SE9304 CENTRAL

获取价格

Power Transistors
SE9304LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
SE9305 CENTRAL

获取价格

Power Transistors
SE9305LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
SE9305PBFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,
SE9400 CENTRAL

获取价格

SILICON PNP TRANSISTOR
SE9400LEADFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
SE9400TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,