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SDR938MTX PDF预览

SDR938MTX

更新时间： 2024-11-15 19:06:19
品牌 Logo 应用领域
SSDI 超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 800V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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SDR938MTX 技术参数

生命周期：Active包装说明：S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.55 VJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3最大非重复峰值正向电流：500 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向电流：100 µA最大反向恢复时间：0.08 µs
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SDR938MTX 数据手册

 浏览型号SDR938MTX的Datasheet PDF文件第2页 
SDR936M&Z  
thru  
SDR9312M&Z  
Solid State Devices, Inc.  
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638  
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773  
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com  
30 AMP  
DESIGNER’S DATA SHEET  
ULTRA FAST RECTIFIER  
600 - 1200 VOLTS  
Part Number / Ordering Information 1/  
SDR93 __ __ __ __  
└
Screening __ = Not Screened  
TX = TX Level  
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
│
TXV = TXV  
Features:  
S = S Level  
Soft Recovery Diode  
Ultra Fast Recovery: 80 nsec maximum  
Available in faster recovery versions  
High Surge Rating  
Low Reverse Leakage Current  
Low Junction Capacitance  
Hermetically Sealed Package  
Gold Eutectic Die Attach available  
Ultrasonic Aluminum Wire Bonds  
Ceramic Seals for improved Hermeticity  
available  
│
│
│
│
│
│
│
│
│
└
└
Lead Options __ = Straight Leads  
DB = Down Bend  
UB = Up Bend  
Package  
M = TO-254  
Z = TO-254Z  
9 = 900 V  
10 = 1000 V  
12 = 1200 V  
└ Voltage 6 = 600 V  
7 = 700 V  
8 = 800 V  
TX, TXV, and S Level Screening Available  
Maximum Ratings  
Symbol  
Value  
Units  
Volts  
Amps  
SDR936M&Z  
SDR937M&Z  
SDR938M&Z  
SDR939M&Z  
SDR9310M&Z  
SDR9312M&Z  
600  
700  
800  
900  
1000  
1200  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
VRRM  
Average Rectified Forward Current  
(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, TC = 25°C)  
Total  
Io  
30  
Peak Surge Current  
IFSM  
500*  
-65 to +200  
1.2  
Amps  
ºC  
(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, TA = 25°C)  
Operating & Storage Temperature Range  
Maximum Total Thermal Resistance  
T
OP & TSTG  
RJC  
Junction to Case  
ºC/W  
TO-254 (M)  
TO-254Z (Z)  
Notes: 1/ *Pins 2&3 connected together; available with higher surge capacity.  
2/ For best results, Pins 2&3 must be connected together in the application.  
NOTE: All specifications are subject to change without notification.  
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.  
DATA SHEET #: RU0073D  
DOC  
12

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