5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-XBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | HYPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大输出电流： | 60 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SDR60010HCTZDB | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60010HCTZDBS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60010HCTZDBTX | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SDR60010HCTZDBTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60010HCTZUBTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60015 | SSDI |
获取价格 |
HYPER FAST CENTERTAP RECTIFIER |
|
| SDR60015HCTMDB | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60015HCTMDBS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60015HCTMDBTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, |
|
| SDR60015HCTMUB | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
