SDR6004HFPTXV

更新时间： 2024-09-29 04:05:07

品牌	Logo	应用领域
SSDI		/
页数	文件大小	规格书
2页	168K
描述
60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SDR6004HFPTXV 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	应用：	HYPER FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.55 V	JEDEC-95代码：	TO-259
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	750 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向电流：	100 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SDR6004HFPTXV 数据手册

SDR6006HF series

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

60A 35nsec

400 to 600 V

Part Number / Ordering Information ^1/

SDR60 __ HF __ __

Hyper Fast Rectifier

│

└

│

└

│

└

Screening

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV

S = S Level

Features:

•

Hyper Fast Recovery: 35nsec Maximum

High Surge Rating

Package

N = TO-258

P = TO-259

Low Reverse Leakage Current

Low Junction Capacitance

Configuration hyperfast family

Hermetically Sealed, Isolated Package

providing enhanced thermal performance

Eutectic Die Attach

•

Voltage 04 = 400 V

05 = 500 V

TX, TXV, and S Level Screening iaw MIL-

PRF-19500 Available

06 = 600 V

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

SDR6004HF

SDR6005HF

SDR6006HF

400

500

600

Peak Repetitive Reverse Voltage

V_RRM

Volts

Average Rectified Forward Current

Total

Amps

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_C= 100 °C)

Peak Surge Current

I_FSM

750

Amps

ºC

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C)

Operating & Storage Temperature

_OP& T_STG

R_θJC

-65 to +200

Maximum Total Thermal Resistance

1.0

ºC/W

Junction to Case

(0.6 typ)

TO-258 (N)

TO-259 (P)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RC0093A

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

中文翻译

下载PDF

与SDR6004HFPTXV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR6004M	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004MS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004MTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004MTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004N	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004NS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004NTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004NTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED,
SDR6004P	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED PA
SDR6004PS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 400V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED PA

与SDR6004HFPTXV相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

22
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR6004HFPTXV

SDR6004HFPTXV 技术参数

SDR6004HFPTXV 数据手册

与SDR6004HFPTXV相关器件

与SDR6004HFPTXV相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR6004HFPTXV

SDR6004HFPTXV 技术参数

SDR6004HFPTXV 数据手册

与SDR6004HFPTXV相关器件

与SDR6004HFPTXV相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？