SDR6005HFN

更新时间： 2024-09-29 13:13:19

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SSDI		二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
3页	144K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN

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SDR6005HFN 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-258AA
包装说明：	R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	应用：	HYPER FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-258AA	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	750 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	60 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	500 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SDR6005HFN 数据手册

PRELIMINARY

SDR6006 series

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

60Apk 60nsec

400 to 600 V

Ultrafast Rectifier

SDR60 __ __ __ __

Screening^2/

└

_ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV

│

└

│

└

│

└

S = S Level

Features:

•

Ultrafast Recovery: 100nsec Maximum

High Surge Rating

Package

M = TO-254

Z = TO-254Z

N = TO-258

P = TO-259

Low Reverse Leakage Current

Low Junction Capacitance

Hermetically Sealed, Isolated Package

providing enhanced thermal performance

Eutectic Die Attach

TX, TXV, and S Level Screening iaw MIL-

PRF-19500 Available

hyperfast version available (typ 30 ns)

Configuration n/a (single diode)

•

Voltage 04 = 400 V

05 = 500 V

06 = 600 V

•

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

SDR6004

SDR6005

SDR6006

400

500

600

Peak Repetitive Reverse Voltage

V_RRM

Volts

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_C= 100 °C)

I_F

Amps, pk

Amps

Continuous Rectified Forward Current

(T_C= 25 °C; limited by construction)

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C, 1 pulse)

I_FSM

T_OP& T_STG

R_θJC

500

Amps

ºC

Operating & Storage Temperature

-65 to +200

Maximum Total Thermal Resistance

Junction to Case

1.0

(0.7 typ)

ºC/W

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

TO-258

TO-259

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0121A

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR6005HFNS	SSDI	获取价格	60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier
SDR6005HFNTX	SSDI	获取价格	60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier
SDR6005HFNTXV	SSDI	获取价格	60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier
SDR6005HFP	SSDI	获取价格	60 A, 500 V Hyperfast Recovery Rectifier
SDR6005HFPS	SSDI	获取价格	60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier
SDR6005HFPTX	SSDI	获取价格	60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier
SDR6005HFPTXV	SSDI	获取价格	60A 35nsec 400 to 600 V Hyper Fast Rectifier
SDR6005M	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 500V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR6005MS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 500V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR6005MTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 45A, 500V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,

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