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SDR4150TX

更新时间： 2024-11-30 14:31:03

品牌	Logo	应用领域
SSDI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	112K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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SDR4150TX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.68	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.3 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

SDR4150TX 数据手册

SDR6638, SDR6642, SDR6643,

& SDR4150 SERIES

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

300 mA

Designer’s Data Sheet

50 - 125 VOLTS

Part Number/Ordering Information ^1/

4.5 - 6.0 nsec HYPER FAST RECOVERY

RECTIFIER

__ __

SDR____

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

│

└

FEATURES:

Hyper Fast Reverse Recovery Time 4.5 - 6 ns

Max

Hermetically Sealed

Planar Passivated Chip

For High Efficiency Applications

Available in Axial, Subminiature Round Tab

& Subminiature Square Tab Versions

TX, TXV, and S-Level Screening Available^2/

Replacement for 1N6638, 1N6642, 1N6643, &

1N4150-1

TXV = TXV

S = S Level (for SM, use –S)

•

Package Type

__ = Axial Leaded

SM = Surface Mount Round Tab

(MELF)

SMS = Surface Mount Square Tab

•

Device Type ( VRWM )

6638 = 125 V

6642 = 75 V

•

Metallurgical Class 3 Bond

6643 = 50 V

4150 = 75 V

MAXIMUM RATINGS ^3/

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

SDR6638

SDR6642

SDR6643

SDR4150

125

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RWM

V_R

Volts

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave, T_C= 25°C)

I_O

300

mAmps

Peak Surge Current

2.5

I_FSM

Amps

°C

(8.3 msec Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, allow junction to reach

equilibrium between pulses, T_C= 25°C)

-65 to +175

Operating & Storage Temperature

T_OPand T_STG

Thermal Resistance

SM and SMS- Junction to End Tab

Axial- Junction to Lead @ .375”

R_θJE

R_θJL

100

325

°C/W

NOTES:

1/ For Ordering Information, Price, and Availability- Contact

Factory.

Axial Leaded

SMS

2/ Screening Based on MIL-PRF-19500. Screening Flows

Available on Request.

3/ Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics

@25ºC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0126B

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与SDR4150TX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR429	SSDI	获取价格	1 AMP, 700 V Hyper Fast Rectifier
SDR429_1	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR429S	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR429SMS	SSDI	获取价格	1 AMP, 700 V Hyper Fast Rectifier
SDR429SMSS	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR429SMSTX	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR429SMSTXV	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR429TX	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR429TXV	SSDI	获取价格	1AMP, 700V Hyper Fast Rectifier
SDR4405	SSDI	获取价格	10 AMPS 50 - 300 VOLTS 40 nsec HYPER FAST RECTIFIER

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