SDR30U110MS

更新时间： 2024-11-23 13:13:23

品牌	Logo	应用领域
SSDI		/
页数	文件大小	规格书
2页	87K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SDR30U110MS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	40 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1100 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SDR30U110MS 数据手册

SDR30U080J thru SDR30U120J

and

SDR40U080M thru SDR40U120M

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

30/40 AMP

Ultra Fast Recovery

Rectifier

Part Number / Ordering Information ^1/

__ __ __ __

SDR55

Screening ^2/

│

└

│

└

│

└

800 - 1200 Volts

50 nsec

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

• Ultra Fast Recovery: 40 nsec typical

• High Surge Rating

• Low Reverse Leakage Current

• Low Forward Voltage Drop

Package Type

J = TO-257

M = TO-254

Voltage/Family

80 = 800V

90 = 900V

100 = 1000V

110= 1100V

120 = 1200V

• Low Junction Capacitance

• Hermetically Sealed Package

• Gold Eutectic Die Attach available

• Ultrasonic Aluminum Wire Bonds

• Ceramic Seals for improved hermeticity available

• TX, TXV, Space Level Screening Available Consult

Factory.^2/

Recovery Time

UF = Ultra Fast

Maximum Ratings

Symbol

V_RRM

Value

Units

Volts

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage

SDR30U080/SDR40U080

SDR30U090/SDR40U090

SDR30U100/SDR40U100

SDR30U110/SDR40U110

SDR30U120/SDR40U120

800

900

1000

1100

1200

V_RWM

V_R

TO-257

TO-254

Average Rectified Forward Current

Amps

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25ºC)^3/

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, Allow Junction to

I_FSM

250

Reach Equilibrium Between Pulses, T_A= 25ºC)^3/

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

R_θJE

ºC

-65 to +200

1.25

Maximum Thermal Resistance

ºC/W

Junction to End Tab^3/

TO-254 (M)

TO-257 (J)

1/ For ordering information, price, operating curves, and availability - Contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Pins 2 & 3 connected.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0143A

DOC

中文翻译

下载PDF

与SDR30U110MS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR30U110MTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED
SDR30U120	SSDI	获取价格	Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR30U120J	SSDI	获取价格	30 A, 1200 V Ultrafast Recovery Rectifier
SDR310	SSDI	获取价格	30 AMP 50-150 VOLTS 50 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
SDR310FL	SSDI	获取价格	暂无描述
SDR310FLTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR310GD	SSDI	获取价格	3 A, 1 kV Subminiature Fast Recovery Rectifier
SDR310GDTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR310GDTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR310GWS	SSDI	获取价格	暂无描述

与SDR30U110MS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR30U110MS

SDR30U110MS 技术参数

SDR30U110MS 数据手册

与SDR30U110MS相关器件

与SDR30U110MS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR30U110MS

SDR30U110MS 技术参数

SDR30U110MS 数据手册

与SDR30U110MS相关器件

与SDR30U110MS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？