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SD8901CYT1

更新时间: 2024-11-21 15:50:47
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 4-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SO-14

SD8901CYT1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14针数:14
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.90.00.00风险等级:5.84
其他特性:RING MODULATOR配置:BRIDGE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G14元件数量:4
端子数量:14工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SD8901CYT1 数据手册

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