SD863-10

更新时间： 2024-01-13 18:44:25

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SD863-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SD863-10 数据手册

(100V / 3.0A )

SD863-10

Outline drawings, mm

SCHOTTKY BARRIER DIODE

5.0

0.5

4.0

0.5

(0.8)

Features

Surface-mount device

Low VF

Marking

Super high speed switching

High reliability by planer design

Cathode mark

Type No

D D

Applications

Lot. No

High speed switching

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RRM

Conditions

Item

Rating

100

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

Surge current

Square wave duty=1/2

Tl=105°C

3.0

Sine wave 10ms,

1shot

IFSM

150

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

Tstg

-55 to +150

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Unit

Symbol

Conditions

Max.

0.84

0.1

I^FM=3.0A

Forward voltage drop

Reverse current

VFM

IRRM

VR=VRRM

°C/W

Junction to lead

Thermal resistance

Rth(j-l)

Mechanical characteristics

Approximate mass

0.035

http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/

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