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SD5101N

更新时间: 2024-11-19 21:19:23
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 瞄准线开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
TRANSISTOR 50 mA, 15 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

SD5101N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T14
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
配置:COMMON SOURCE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:15 V
最大漏极电流 (ID):0.05 A最大漏源导通电阻:70 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.5 pF
JESD-30 代码:R-PDIP-T14元件数量:4
端子数量:14工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:85 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SD5101N 数据手册

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