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SD51R

更新时间： 2024-02-08 16:28:38

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NAINA		整流二极管
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2页	112K
描述
Schottky Rectifier Diode, 60A

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技术参数
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SD51R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	DO-5
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	60 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	35 V	最大反向电流：	2000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

SD51R 数据手册

SD51 thru

SD51R

Naina Semiconductor Ltd.

Schottky Rectifier Diode, 60A

Features

•

Fast Switching

Low forward voltage drop

Guard ring protection

High surge capacity

High efficiency, low power loss

Electrical Ratings (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol Values Units

Repetitive peak reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_DC

Average rectified forward current (T_C≤ 100^oC)

I_F(AV)

DO-203AB (DO-5)

Non-repetitive peak surge current, half sine wave (T_C=

25 ^oC)

I_FSM

800

Maximum Ratings (T_C= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameter

Test Conditions

Symbol

SD51(R)

Units

I_F= 60 A

Maximum instantaneous forward voltage

V_F

I_R

0.66

T_C= 25^oC

V_R= 45V, T_C= 25^oC

V_R= 45V, T_C= 125^oC

Maximum instantaneous reverse current at rated DC voltage

200

Thermal & Mechanical Specifications (T_E= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameters

Symbol

SD51(R)

1.0

Units

Maximum thermal resistance, junction to case

Operating junction temperature range

Storage temperature

R_th(JC)

T_J

^oC/W

^oC

-65 to 150

-65 to 175

4.0

T_stg

Mounting torque (non-lubricated threads)

Approximate allowable weight

17.0

D-95, Sector 63, Noida – 201301, India

•

Tel: 0120-4205450

•

Fax: 0120-4273653

sales@nainasemi.com

•

www.nainasemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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