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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.90.00.00 |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.5 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD400BDTR1 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SD400BDTR2 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SD400BDTR3 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SD400BDTR4 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SD400C | INFINEON |
获取价格 |
STANDARD RECOVERY DIODES Hockey Puk Version |
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| SD400C02CPBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800A, 200V V(RRM), Silicon, DO-200AA, |
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| SD400C04C | VISHAY |
获取价格 |
Standard Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 800 A |
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| SD400C04C_12 | VISHAY |
获取价格 |
Standard Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 800 A |
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| SD400C06C | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800A, 600V V(RRM), Silicon, DO-200AA, |
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| SD400C06CPBF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800A, 600V V(RRM), Silicon, DO-200AA, |
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