SD103CWS-V-G

更新时间： 2024-02-02 05:01:30

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威世 - VISHAY		小信号肖特基二极管
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描述
Small Signal Schottky Diodes

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SD103CWS-V-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	0.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW POWER LOSS	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.37 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1.5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.35 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	20 V	最大反向恢复时间：	0.01 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

SD103CWS-V-G 数据手册

SD103AWS-V-G, SD103BWS-V-G, SD103CWS-V-G

Vishay Semiconductors

Small Signal Schottky Diodes

Features

• The SD103 series is a metal-on-silicon

Schottky barrier device which is

protected by a PN junction guard ring

• The low forward voltage drop and fast

switching make it ideal for protection of

MOS devices, steering, biasing, and

coupling diodes for fast switching and

low logic level applications

20145

• Other applications are click suppression,

efficient full wave bridges in telephone subsets,

and blocking diodes in rechargeable low voltage

battery systems

Mechanical Data

Case: SOD-323

Weight: approx. 4.0 mg

Packaging codes/options:

18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box

08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box

• For general purpose applications

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Parts Table

Part

SD103AWS-V-G

SD103BWS-V-G

SD103CWS-V-G

Ordering code

Type marking

Remarks

SD103AWS-V-G-18 or SD103AWS-V-G-08

SD103BWS-V-G-18 or SD103BWS-V-G-08

SD103CWS-V-G-18 or SD103CWS-V-G-08

Tape and reel

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Part

Symbol

Value

Unit

V_RRM

I_F

SD103AWS-V-G

SD103BWS-V-G

SD103CWS-V-G

Peak reverse voltage

350 ¹⁾

Forward continuous current

Single cycle surge

I_FSM

P_tot

10 µs square wave

200 ¹⁾

Power dissipation

Note

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

Unit

K/W

°C

500 ¹⁾

125

Thermal resistance junction to ambient air

Junction temperature

T_j

T_stg

Storage temperature range

- 55 to + 150

°C

Note

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

** Please see document “Vishay Material Category Policy”: www.vishay.com/doc?99902

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

This document is subject to change without notice.

Document Number 81142

Rev. 1.1, 13-May-11

www.vishay.com

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SD103CW-V	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes
SD103CW-V-GS08	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diodes
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