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SCT4045DW7

更新时间： 2024-03-03 10:11:24

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罗姆 - ROHM		/
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17页	1864K
描述
SCT4045DW7 is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, lo

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SCT4045DW7 数据手册

SCT4045DW7

Datasheet

lElectrical characteristic curves

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

100

Operation in this area is limited by R_DS(on)

100

<100ns*

1μs*

PW decrease

10μs*

100μs

1ms

T_c= 25ºC

Single Pulse

*Calculation (PW  10μs)

10ms

0.1

125

175

0.1

100 1000 10000

Case Temperature : T_C[°C]

Drain - Source Voltage : V_DS[V]

Fig.3 Typical Transient Thermal

Impedance vs. Pulse Width

Duty =

0.1

0.01

0.5

0.2

Duty increase

0.1

0.05

0.02

0.001

0.01

Single pulse

T_c= 25ºC

0.0001

1E-6 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 1E+1

Pulse Width : PW [s]

www.rohm.com

TSZ22111・15・001

TSQ50252-SCT4045DW7

23.Aug.2023 - Rev.004

5/15

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