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SC900841JVK

更新时间： 2024-01-19 21:09:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
192页 3425K
描述
1-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PBGA338, 11 X 11 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MABGA-338

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SC900841JVK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA,
针数：338Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.71可调阈值：YES
模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUITJESD-30 代码：S-PBGA-B338
长度：11 mm湿度敏感等级：3
信道数量：1功能数量：1
端子数量：338最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：4.4 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.6 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper - with Nickel barrier
端子形式：BALL端子节距：0.706 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：11 mmBase Number Matches：1

SC900841JVK 数据手册

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ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Table 3. Static Electrical Characteristics  
TA = -40 °C to 85 °C, VPWR = 3.0 to 4.4 V, typical external component values, and full load current range, unless otherwise  
noted. Typical values are characterized at VPWR = 3.6 V and 25 °C.  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
RTC  
Input Voltage Range  
Consumption Current  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2  
-
15  
-
1.5  
25  
+30  
30  
-
V
µA  
-
Crystal OSC Frequency Tolerance  
-30  
ppm  
°C  
Crystal OSC Peak Temperature Frequency (Turn Over Temperature)  
Crystal OSC Maximum Series Resistance  
Crystal OSC Maximum Drive Level  
20  
25  
80  
0.5  
-
-
KΩ  
µW  
µW  
pF  
-
-
Crystal OSC Operating Drive Level  
0.25  
0.5  
-
Crystal OSC Nominal Lead Capacitance  
Crystal OSC Aging  
-
-
9.0  
-
3
ppm/  
year  
COIN CELL CHARGER  
Coin cell Charge Voltage (Selectable through VCOIN[2:0] bits)  
Coin cell Charge Voltage Accuracy  
VCOINCELL  
2.5  
-100  
-
-
-
3.3  
100  
-
V
mV  
µA  
%
-
ICOIN  
-
Coin cell Charge Current  
60  
-
Coin cell Charge Current Accuracy  
-15  
15  
POWER STATES DETECTION THRESHOLDS  
Input Voltage Rising Detection Threshold  
Input Voltage Rising Detection Threshold Hysteresis  
VRAWCHGDET  
-
-
-
4.50  
-
V
VRAWCHGDETHY  
100  
mV  
S
Battery Cutoff Threshold (Depending on Battery Model)  
Coin Cell Disconnect Threshold  
Low Battery Threshold  
VBATOFF  
2.2  
1.8  
3.2  
-
-
-
2.4  
V
V
V
V
V
V
VCOINOFF  
VLOWBAT  
VTRKL  
2.0  
-
-
-
-
-
Valid Battery Threshold  
3.0  
3.1  
2.55  
VPWR Rising Under-voltage Threshold  
VPWR Falling Under-voltage Threshold  
VCC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Input Voltage Range  
VPWRUVR  
VPWRUVF  
-
-
VPWR  
VPWR  
3.0  
2.8  
3.6  
3.6  
4.4  
4.7  
V
V
V
Extended Input Voltage Range  
Output Voltage Programmability Range  
Low Power Mode  
VCC  
0.3  
-
-
0.7  
1.2  
Active Mode  
0.65  
Output Voltage Programmability Step Size  
-
-
-
12.5  
-
mV  
%
Output Voltage Accuracy  
0.6 V < VCC < 12 V, 1.5 A < ICC < 3.5 A  
0.6 V < VCC < 12 V, ICC < 1.5 A  
0.3 V < VCC < 0.6 V  
-5.0  
-4.0  
-7.0  
-
-
-
5.0  
4.0  
7.0  
Output Voltage Overshoot  
VOS  
mV  
Maximum overshoot voltage above VID setting voltage. Maximum  
overshoot time is 10-30 s, output voltage = 0.9 V at 50 mA  
-
-
50  
900841  
Analog Integrated Circuit Device Data  
Freescale Semiconductor  
5
12345678...192

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