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SBR3050E3

更新时间: 2024-11-21 21:13:15
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 127K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

SBR3050E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:DO-4, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.75
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.63 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:600 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向电流:1500 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

SBR3050E3 数据手册

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