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SBL4045PT

更新时间： 2024-01-16 15:31:35

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SIRECTIFIER		二极管瞄准线功效局域网
页数	文件大小	规格书
2页	129K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

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SBL4045PT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SBL4045PT 数据手册

SBL4030PT thru SBL4045PT

Low VF Schottky Barrier Rectifiers

Dim.

Millimeter

Min. Max. Min.

Inches

Max.

Dimensions TO-247AD

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

C(TAB)

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

4.32 5.49 0.170 0.216

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

5.4

6.2 0.212 0.244

VRRM

VRMS

VDC

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

SBL4030PT

SBL4035PT

SBL4040PT

SBL4045PT

1.0

1.4 0.040 0.055

10.8 11.0 0.426 0.433

24.5

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

31.5

1.5 2.49 0.087 0.102

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I(AV)

IFSM

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=100^oC

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

375

Maximum Forward Voltage At 20A DC

@TJ=25^oC

0.58

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@TJ=25^oC

100

@TJ=100^oC

ROJC

Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Temperature Range

800

^oC/W

^oC

1.4

-55 to +125

-55 to +150

TSTG

Storage Temperature Range

^oC

NOTES: 1. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

2. Thermal Resistance Junction To Case.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low VF

* Case: TO-247AD molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.2 ounces, 5.6 grams

* Mounting position: Any

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

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