Datasheet > SBL1635CT-B

SBL1635CT-B

更新时间： 2024-11-25 15:50:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	378K
描述
Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SBL1635CT-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.26
JESD-609代码：	e0	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SBL1635CT-B 数据手册

M C C

SBL1620CT

THRU

SBL1660CT

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction

High current capability, low V_F

Marking:Type

Number

16 Amp Schottky

Barrier Rectifier

20 to 60 Volts

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55℃ to +125℃

Storage Temperature: -55℃ to +150℃

For capacitive load, derate current by 20%

TO-220AB

Maximum

Recurrent

Part Number Peak Reverse

Voltage

Maximum

RMS

Voltage

Maximum DC

Blocking

MCC

Voltage

SBL1620CT

SBL1630CT

SBL1635CT

SBL1640CT

SBL1645CT

SBL1650CT

SBL1660CT

20V

30V

35V

40V

45V

50V

60V

14V

21V

24.5V

28V

31.5V

35V

42V

20V

30V

35V

40V

45V

50V

60V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

T_C= 95℃

I_F(AV)

16A

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

250A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

SBL1620CT-1645CT

SBL1650CT-1660CT

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

_FM=8A;

V_F

0.55V

0.70V

INCHES

ꢁꢂꢃ

ꢃꢂꢄ

.560

.380

.100

.230

.380

ꢃꢅꢆ

ꢃꢂꢄ

14.22

9.65

ꢃꢅꢆ

15.88

10.67

3.43

6.86

10.67

ꢄꢇꢈꢉ

T_C= 25℃

.625

.420

.135

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

2.54

0.5mA T_J= 25℃

.270

.420

5.84

9.65

I_R

50mA

T_J= 100℃

------

.500

.250

.580

------

12.70

6.35

14.73

Typical Junction

Capacitance

Measured at

350pF

.090

.020

.012

.110

.045

.025

2.29

0.51

0.30

2.79

1.14

0.64

C_J

1.0MHz, V_R=4.0V

Typical Thermal

Resistance, Junction

to Case

.139

.140

.045

.161

.190

.055

3.53

3.56

1.14

4.09

4.83

1.40

^θJC

2.5℃/W

.080

.115

2.03

2.92

Pulse Test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%.

www.mccsemi.com

Revision: 2

2006/05/31

1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与SBL1635CT-B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SBL1635CT-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, P
SBL1635CTP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC
SBL1635DCT{TUBE}	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon
SBL1635DCT-A	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon,
SBL1635PT	SIRECTIFIER	获取价格	肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Lo
SBL1635PT	DIODES	获取价格	16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBL1635PT	BL Galaxy Electrical	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBL1640	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC
SBL1640	JSMC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
SBL1640	DIODES	获取价格	16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

与SBL1635CT-B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SBL1635CT-B

SBL1635CT-B 技术参数

SBL1635CT-B 数据手册

与SBL1635CT-B相关器件

与SBL1635CT-B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SBL1635CT-B

SBL1635CT-B 技术参数

SBL1635CT-B 数据手册

与SBL1635CT-B相关器件

与SBL1635CT-B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？