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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBL1635ACT-A
SBL1635ACT-A PDF预览

SBL1635ACT-A

更新时间： 2024-01-03 12:28:38
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 35V V(RRM), Silicon,

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SBL1635ACT-A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.54
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING, HIGH SURGE CAPABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBL1635ACT-A 数据手册

 浏览型号SBL1635ACT-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBL1635ACT-A的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: SBL1630 SBL1635 SBL1640 SBL1645 SBL1650 SBL1660  
SBL1630 - SBL1660  
16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AC  
·
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.48  
10.00  
2.54  
5.90  
2.80  
12.70  
0.69  
3.54  
4.07  
1.15  
0.30  
2.04  
4.83  
Max  
15.75  
10.40  
3.43  
6.40  
3.93  
14.27  
0.93  
3.78  
4.82  
1.39  
0.50  
2.79  
5.33  
L
High Surge Capability  
B
M
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
C
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
D
E
K
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)  
A
G
J
Pin 1  
Pin 2  
Mechanical Data  
·
·
Case: TO-220AC  
K
L
G
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
N
M
N
P
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Polarity: See Diagram  
R
P
Terminals: Finish – Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
+
Pin 1 +  
Pin 2 -  
R
Case  
·
·
·
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBL  
1630  
SBL  
1635  
SBL  
1640  
SBL  
1645  
SBL  
1650  
SBL  
1660  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
16  
@ TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
275  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage Drop  
@ IF =16A, TC = 25°C  
0.57  
0.75  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
1.0  
50  
mA  
@ TC = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
700  
3.5  
pF  
°C/W  
°C  
RqJC  
Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23045 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
SBL1630-SBL1660  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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