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SBCP53-16T1G

更新时间： 2024-11-28 12:04:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT

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SBCP53-16T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.88外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

SBCP53-16T1G 数据手册

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BCP53 Series  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistors  
This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio  
amplifier applications. The device is housed in the SOT−223 package  
which is designed for medium power surface mount applications.  
http://onsemi.com  
• High Current  
• NPN Complement is BCP56  
• The SOT−223 Package can be soldered using wave or reflow.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering,  
eliminating the possibility of damage to the die  
MEDIUM POWER HIGH  
CURRENT SURFACE MOUNT  
PNP TRANSISTORS  
• Device Marking:  
COLLECTOR 2, 4  
BCP53T1 = AH  
BCP53−10T1 = AH−10  
BCP53−16T1 = AH−16  
1
BASE  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
EMITTER 3  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
MARKING DIAGRAM  
4
1
AYW  
XXXXXG  
G
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
3
C
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 1  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
−80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
1
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−100  
−5.0  
1.5  
A
Y
W
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
I
C
XXXXX = Specific Device Code  
G
= Pb−Free Package  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C (Note 1)  
1.5  
12  
W
mW/°C  
A
(*Note: Microdot may be in either location)  
Derate above 25°C  
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
ORDERING INFORMATION  
J
stg  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.  
x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
BCP53T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000/Tape & Reel  
SBCP53−10T1G SOT−223  
(Pb−Free)  
1000/Tape & Reel  
1000/Tape & Reel  
1000/Tape & Reel  
1000/Tape & Reel  
1000/Tape & Reel  
4000/Tape & Reel  
BCP53−10T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SBCP53−10T1G SOT−223  
(Pb−Free)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Surface Mounted)  
R
83.3  
°C/W  
BCP53−16T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
q
JA  
SBCP53−16T1G SOT−223  
(Pb−Free)  
Lead Temperature for Soldering,  
0.0625″ from case  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
s
BCP53−16T3G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
September, 2013 − Rev. 10  
BCP53T1/D  
 
12345

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SBCP53-16T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCP53-16T3G ONSEMI

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