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SB560EB-G

更新时间： 2024-02-06 14:24:20
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上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers

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SB560EB-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-27包装说明：DO-27, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.21其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SB560EB-G 数据手册

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ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers  
Comchip  
S M D D i o d e S p e c i a l i s t  
SB520E-G Thru. SB5100E-G  
Voltage: 20 to 100 V  
Current: 5.0 A  
RoHS Device  
DO-201AD  
Features  
-Low drop down voltage.  
-5.0A operation at TA=75°C with no thermal runaway.  
-For use in low voltage, high frequency invertors free  
wheeling and polarity protection.  
1.0(25.4) Min.  
0.210(5.3)  
0.189(4.8)  
-Silicon epitaxial planar chips.  
-ESD test under IEC6100-4-2 :  
Standard: >15KV(Air) & 8KV(Contact)  
0.375(9.5)  
0.287(7.3)  
-Lead-free part, meet RoHS requirements.  
Mechanical data  
1.0(25.4) Min.  
0.052(1.3)  
0.048(1.2)  
-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant  
-Case: Molded plastic body DO-201AD  
-Terminals: Solderable per MIL-STD-750 Method 2026  
-Polarity: Color band denotes cathode end  
-Mounting Position: Any  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Weight: 1.12grams  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Symbol  
Parameter  
Unit  
520E-G 540E-G 545E-G 550E-G 560E-G 580E-G 5100E-G  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
40  
28  
40  
45  
30  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.5” (12.7mm) lead length at TA=75°C, See Figure 1  
I(AV)  
A
5.0  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method) TL=110°C  
150  
125  
30  
IFSM  
VF  
IR  
A
V
Maximum forward voltage at 5.0A (Note 1)  
0.55  
0.70  
0.85  
0.5  
Maximum DC reverse current  
At rated DC blocking voltage  
T
A
=25°C  
mA  
T
A
=100°C  
50  
Typical junction capacitance (Note 2)  
Typical thermal resistance (Note 3)  
pF  
CJ  
500  
RθJA  
RθJL  
35.0  
15.0  
°C/W  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
-65 to +150  
NOTES:  
1. Pulse test : 300µS pulse width, 1% duty cycle.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. mounted 0.500” (12.7mm) lead length with 2.5x2.5” (63.5x63.5mm) copper  
pad.  
REV:A  
Page 1  
QW-BB043  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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