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SB320-E3/73

更新时间： 2024-11-23 22:56:19
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威世 - VISHAY 快速恢复二极管
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4页 73K
描述
DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

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SB320-E3/73 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.09
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.49 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

SB320-E3/73 数据手册

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SB320, SB330, SB340, SB350, SB360  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Very small conduction losses  
• Extremely fast switching  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-201AD  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V, 40 V, 50 V, 60 V  
120 A  
MECHANICAL DATA  
VF  
0.49 V, 0.68 V  
125 °C, 150 °C  
DO-201AD  
Case: DO-201AD  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Single  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SB320  
SB330  
30  
SB340  
40  
SB350  
50  
SB360  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
20  
V
V
V
VRMS  
14  
21  
28  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
20  
30  
40  
50  
60  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IFSM  
3.0  
A
A
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
120  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
- 65 to + 125  
- 65 to + 150  
°C  
°C  
TSTG  
- 65 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL SB320  
SB330  
SB340  
SB350  
SB360 UNIT  
(1)  
Maximum instantaneous forward voltage  
3.0 A  
VF  
IR  
0.49  
0.68  
V
TA = 25 °C  
0.5  
Maximum instantaneous reverse current at  
rated DC blocking voltage  
(1)  
mA  
TA = 100 °C  
20  
10  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Revision: 13-Aug-13  
Document Number: 88719  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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