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SB220EA-G

更新时间： 2024-11-16 12:14:47
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管
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3页 77K
描述
ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers

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SB220EA-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.5 V
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：20 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB220EA-G 数据手册

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ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers  
SB220E-G Thru. SB2100E-G  
Voltage: 20 to 100 V  
Current: 2.0 A  
RoHS Device  
DO-15  
Features  
-Low drop down voltage.  
-For use in low voltage, high frequency invertors free  
wheeling and polarity protection.  
1.0(25.4) Min.  
0.142(3.6)  
0.102(2.6)  
-Silicon epitaxial planar chips.  
-ESD test under IEC6100-4-2 :  
Standard: >15KV(Air) & 8KV(Contact)  
0.299(7.6)  
0.228(5.8)  
Mechanical data  
-Epoxy: UL94V-0 rated flame retardant  
-Case: Molded plastic body DO-15  
-Terminals: Solderable per MIL-STD-750 Method 2026  
-Polarity: Color band denotes cathode end  
-Mounting Position: Any  
1.0(25.4) Min.  
0.034(0.86)  
0.028(0.70)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Weight: 0.4grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Symbol  
Parameter  
Unit  
220E-G 240E-G 245E-G 250E-G 260E-G 280E-G 2100E-G  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
40  
28  
40  
45  
30  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.375” (9.5mm) lead length at TA=75°C, See Figure 1  
I(AV)  
A
2.0  
50  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method) TL=110°C  
IFSM  
VF  
IR  
A
V
Maximum forward voltage at 2.0A (Note 1)  
0.50  
0.70  
0.85  
10  
0.5  
Maximum DC reverse current  
At rated DC blocking voltage  
T
A
=25°C  
mA  
T
A
=100°C  
20  
Typical junction capacitance (Note 2)  
Typical thermal resistance (Note 3)  
pF  
CJ  
170  
RθJA  
RθJL  
50.0  
25.0  
°C/W  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
-65 to +150  
NOTES:  
1. Pulse test : 300µS pulse width, 1% duty cycle.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. mounted 0.375” (9.5mm) lead length  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:A  
Page 1  
QW-BB058  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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