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SB1150-TB

更新时间： 2024-01-18 06:35:37
品牌 Logo 应用领域
WTE 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,

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SB1150-TB 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：150 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SB1150-TB 数据手册

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®
SB1150 – SB1200  
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
Low Power Loss, High Efficiency  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
A
B
A
Mechanical Data  
C
Case: DO-41, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.35 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-41  
Dim  
A
Min  
25.4  
4.06  
0.71  
2.00  
Max  
—
B
5.21  
0.864  
2.72  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB1150  
SB1200  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
150  
105  
200  
140  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1)  
1.0  
30  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@IF = 1.0A  
VFM  
IRM  
CJ  
0.9  
V
mA  
pF  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.2  
2.0  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
35  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)  
Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 3)  
RθJA  
RθJL  
50  
15  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3. Vertical PCB mounting with 12.7mm lead length on 63.5 x 63.5mm copper pad.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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