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SAH03

更新时间： 2024-11-17 22:22:27
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体整流二极管开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor with Fast-Recovery Rectifier Diode(Voltage change switch for motor)

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SAH03 数据手册

  
Equivalent  
circuit  
2
4
(4kΩ)  
(100Ω)  
S AH0 3  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
1
3
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor with Fast-Recovery Rectifier Diode  
Application : Voltage change switch for motor  
(Ta=25°C)  
External Dimensions PS Pack  
■Electrical Characteristics  
■
Symbol  
ICBO  
Symbol  
SAH03  
Conditions  
VCB=–60V  
VEB=–6V  
SAH03  
10max  
3max  
60min  
2000 to 12000  
Unit  
Unit  
µA  
mA  
V
2
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–60  
–
3
V
IEBO  
a
b
–60  
–
V
4
1
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–10mA  
–
–6  
V
±0.2  
1.4  
±0.2  
max  
3.6  
V
CE=–4V, I  
=–1A, I =–2mA  
CE=–12V, I =0.1A  
VCB=–10V, f=1MHz  
C=–1A  
–1.2  
A
max  
6.8  
4.0  
VCE(sat)  
fT  
IB  
IC  
B
–
1.4max  
100typ  
30typ  
V
MHz  
pF  
–0.1  
A
±0.5  
±0.2  
8.0  
6.3  
PC  
V
E
1.0(Ta=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
COB  
Tj  
Tstg  
–40to+150  
VR  
VF  
IR=100µA  
IF=0.5A  
100 min  
1.5 max  
100 typ  
V
V
0~0.1  
±0.3  
1.0  
Weight : Approx 0.23g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
±0.2  
±0.3  
t r r  
IF=±100mA  
ns  
3.0  
9.8  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
Diode IF VF Characteristics  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
–5.0mA  
–10.0mA –2.0mA  
(VCE=–4V)  
–1.2mA  
1.2  
1
–2.4  
–2  
–2.4  
–2  
0.5  
0.1  
–1  
–1  
0.05  
0
0.01  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
0
1
1.6  
0
–1  
–2  
–3  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Forward Voltage VF(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
300  
10000  
2
1
VCC  
–IB1=IB2=2mA  
30V  
5000  
100  
tstg  
tf  
1000  
500  
0.5  
10  
ton  
1
100  
50  
0.1  
–0.2  
0.3  
–0.02  
–0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–2.4  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
–0.5  
–1  
–2.4  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
VCE(sat) IB Temperature Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(IC=–0.5A)  
1.5  
–3  
–3  
–1  
125˚C  
25˚C  
–30˚C  
–2  
–1  
0
1.0  
–0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–0.1  
Glass epoxy substrate  
(95 x 69 x 1.2mm)  
Natural Cooling  
–0.05  
0
–1  
–5  
–10  
–50 –100  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
163  
1

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